半導體 物理 書

序言

自1947 年貝爾電話實驗室研究團隊(現在為諾基亞貝爾實驗室)發現電晶體效應以來,半導體元件領域快速成長。隨著此領域的發展,半導體元件的文獻逐漸增加並呈現多元化,要吸收這方面的大量資訊,需要一本完整介紹元件物理及操作原理的書籍。

第一版、第二版與第三版的Physics of Semiconductor devices(《半導體元件物理學》)分別在1969 年、1991 年與2007 年發行以符合如此的需求。令人驚訝的是,本書長期以來一直為主修應用物理、電機與電子工程,以及材料科學的大學研究生的主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊,因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。直到目前為止,本書仍為被引用最多次的書籍之一,在當代工程以及應用科學領域上,已被引用超過55,000 次 (Google Scholar)(編按:本書於中文版翻譯完成時,引用次數已超過63,800 次)。

自從本書上一版在2007 年出版後,已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表,並且在元件概念及性能上有許多突破,顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版的Physics of Semiconductor devices 中,有超過50% 的材料資訊已經被校正或是被更新,並將這些材料資訊全部重新整理。我們保留了基本的元件物理,加上許多當代感興趣的元件,例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等,亦在每章後增加大量問題集,幫助整合主題的發展,而某些問題可以在課堂上作為教學範例。

在撰寫這本書的過程中,我們有幸得到許多人的幫助及支持。首先,我們對於自己所屬的學術單位國立陽明交通大學表示謝意,沒有學校的支持,本書將無法完成;也感謝台灣高等教育深耕計畫第2 部分—特色領域研究中心—毫米波智慧雷達系統與技術研究中心與交大思源基金會在經費上的資助。

以下學者在百忙中花了不少時間校閱本書並提供建議, 使我們獲益良多, 績效屬於下列學者:M. Ancona, T.-C. Chang, C.-H. Chaing, Y.-S. Chauhan, K. Endo, M.-Y. Lee, Y.-J. Lee, P.-T. Liu, T. Matsuoka, M. Meyyappan, N. Mori, S. Samukawa, A. Schenk, N. M. Shrestha, P.-H. Su, T. Tanaka, V. Rajagopal Reddy, 以及 D. Vasileska. 我們也感謝各期刊以及作者允許我們重製並引用他們的原始圖。

我們很高興地感謝C.-H. Chen, C.-Y. Chen, S. R. Kola, Y.-C. Lee, C.-C. Liu, W.-L. Sung, N. Thoti 及Y.-C. Tsai 等協助製備這份原稿。我們更進一步地感謝 Min-Hui Chuang, Norman Erdos 及Ju-Min Hsu 協助整原稿的技術編輯。在John Wiley 以及 Sons,感謝Sarah Keegan 鼓勵我們進行這個計畫。

最後,對我們的妻子Therese Sze 以及Linda Ng 在寫作這本書過程的支持及幫助表示謝意。本書作者李義明教授將本書獻給他的母親黃葱女士,黃女士於2019 年6 月過世。

施敏

台灣 新竹

李義明

台灣 新竹

伍國珏

美國 北卡羅來納州 教堂山

2020 年2 月

內容簡介

本書乃原作者Neamen多年編寫半導體物理與元件教科書的結晶,目前已為國內、外大學半導體物理與元件課程的主要教材之ㄧ。

本書選材適中,內容條理分明,架構清楚完整,可使讀者以大學的普通物理、簡易的固態物理及電磁學等相關知識,配合教學進度學習,即可獲得扎實的半導體物理觀念與元件概念。

若要研讀進階的半導體物理與元件,以本書的內容為基礎再進一步深入探討相關課題,也是很恰當的學習歷程規劃。

相較於其他相關的半導體物理與元件教材,本書的特點有:
.清晰而簡潔的解說。
.章前對該章簡要說明使讀者可先建立該章內容概要的預覽。
.章節中有許多幫助有效學習的演練例題。
.章節中有許多可檢驗學習程度的練習題。
.章末可再回顧全章內容的概要總結。
.章末有相當多不同難度的習題。

基本上,就內容及取材而言,本書亦可作為一本自修學習的專業書籍。

目錄

第1章 固體的晶體結構
第2章 量子力學導論
第3章 固態量子理論導論
第4章 平衡態的半導體
第5章 載子的傳輸現象
第6章 非平衡態半導體的過量載子
第7章 pn接面
第8章 pn接面二極體
第9章 金屬-半導體接面與半導體異質接面
第10章 金氧半場效電晶體的基礎
第11章 金屬-氧化物-半導體場效電晶體:其他的觀念
第12章 雙極性電晶體
第13章 接面場效電晶體
第14章 半導體光電元件
第15章 半導體微波及功率元件

詳細資料

  • ISBN:9789861578255
  • 規格:平裝 / 722頁 / 16k / 19 x 26 x 3.61 cm / 普通級 / 雙色印刷 / 4版
  • 出版地:台灣
  • 本書分類:專業/教科書/政府出版品> 電機資訊類> 電子
  • 本書分類:專業/教科書/政府出版品> 數理化類> 物理

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刚看到这个问题,转一个自己专栏的文章吧,第一部分介绍了几本半导体物理方面的书: 链接:知乎专栏 观芯志:数字IC设计入门书单 -------------------------------------------------------------------------------------- 作者:Forever snow 链接:知乎专栏 来源:知乎 著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权,非商业转载请注明出处。

  • 《半导体物理学(第7版)》。作者:刘恩科,朱秉升,罗晋升著。出版社:电子工业出版社

说明:这本书被国内大部分高校都采用为半导体物理课程的教材。同时,也是部分高校推荐使用的微电子专业硕士生初试参考书。

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  • 《集成电路中的现代半导体器件(英文版)》。

说明:国内外很多高校都采用这本书作为半导体器件的入门教材。本书的作者是美国工程院院士、中国科学院外籍院士、FinFET技术发明人、加州大学伯克利分校教授胡正明。本书的特点是内容简明扼要,重点突出,深度掌握适宜,讲解深入浅出。书中还对一些前沿的器件技术进行了阐述。

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  • 《国外名校最新教材精选:半导体器件物理(第3版)》。

说明:这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家,为推动微电子人才培养做出了巨大的贡献。施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名,对半导体元件的发展和人才培养方面作出贡献。由于他在微电子器件及在人才培养方面的贡献,先后被选为台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士;1991年施敏博士得到IEEE电子器件的最高荣誉奖(Ebers奖),称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

半導體 物理 書

感谢@Kevin Hahn提供如下补充内容:

半导体物理部分,再推荐两本书:

1) 半导体物理基础-黄昆 韩汝琦。这本书篇幅不大,语言浅显,强调物理图象和实际应用,很适合固体物理基础比较薄弱的读者,但是存在部分印刷错误,科学出版社最新的再版也没有更正,另外,与器件相关的部分内容比较陈旧。

2) 半导体物理学-叶良修。这套书篇幅较大,分上下册,重点是物理概念的清晰、准确然而却不晦涩,且在深度和新进展方面有颇多努力,可读性强,可作为参考书。 半导体器件部分,先说一下施敏博士的《半导体器件物理(第3版)》,这本书的内容设置比较矛盾,有一定深度,却又深入不足,如果不同步阅读其他资料,很难用一本书来读懂主要内容。

个人推荐施博士的另一本书——《半导体器件物理与工艺》,这本书把重点放在集成电路中最常用的半导体结构和器件(PN结/ BJT/ MOSFET),半导体物理部分重点讲述载流子及其输运,并增加了集成电路制造工艺的部分,语言浅显易懂,有很好的实用性,适合初学者或不必过度钻研半导体器件的读者如电路设计工程师。

此外,伯克利的胡正明博士(FINFET发明人)的Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits也相当不错,这本书对MOS基本原理与电学特性及其在现代集成电路中的应用描述清晰,语言通畅。大陆有引进印刷版(影印和中译都有),而可贵的是,胡博士将此书的英文电子版及讲义放在个人网站供读者免费下载阅读。

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